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Regime la corrente IDS nulla se e solo se VDS nulla, cio si ha un pull down forte. BJT In elettronica, il transistor a giunzione bipolare, anche chiamato con l'acronimo BJT, abbreviazione del termine inglese scarpe da calcio mercurial bipolar junction transistor, una tipologia di transistor largamente usata nel campo dell'elettronica analogica principalmente arrive amplificatore ed interruttore. Si tratta di tre strati di materiale semiconduttore drogato, solitamente il silicio, in cui lo strato centrale ha drogaggio opposto agli altri due, in modo scarpe nike air jordan 4 italia da formare una doppia giunzione p n. Advertisement ogni strato associato un terminale: quello centrale prende il nome di base, quelli esterni sono detti collettore ed emettitore. Il blazer nike scontate principio di funzionamento del BJT si fonda sulla possibilit di controllare la conduttivit elettrica del dispositivo, e quindi la corrente elettrica che lo attraversa, mediante l'applicazione di una tensione tra i suoi terminali. Tale dispositivo coinvolge sia i portatori di carica maggioritari che quelli minoritari, e pertanto questo tipo di transistore detto bipolare. Consideriamo il BJT di tipo npn. Una tensione applicata tra collettore ed emettitore (VCE) non pu in alcun modo generare un passaggio di corrente in quanto almeno una delle due giunzioni sar polarizzata inversamente, arrive se si avessero because of diodi volti in direzioni opposte. Il BJT si distingue da because of diodi per il fatto di avere la giunzione p molto sottile che per diffusione con le regioni n viene completamente svuotata. In questo modo se si polarizza direttamente la giunzione base emettitore la regione di svuotamento viene meno e le because of regioni n si trovano in conduzione tra loro, quindi sufficiente una piccola corrente iniettata nella base for each generare una grande corrente tra collettore ed emettitore. A seconda della tensione tra foundation ed emettitore (VBE) e della tensione tra collettore ed emettitore (VCE) si possono distinguere tre regioni di lavoro: Se VBE il transistore interdetto: le giunzioni p n sono entrambe polarizzate in inversa, quindi non c' passaggio netto di corrente. S e VBE> V e VCE> VCESAT il transistore in regione lineare: la corrente di collettore quasi indipendente dalla VCE ed controllata solo dalla corrente di foundation secondo la relazione . In verit la corrente di collettore cresce lentamente anche all'aumentare della VCE (effetto Early). S e VBE> V e VCE CESAT il transistore in regione di saturazione: la corrente di collettore cresce molto rapidamente all'aumentare della VCE, e si comporta quindi come una resistenza di valore bassissimo. DIODO Il diodo un componente elettronico passivo non lineare a due terminali (bipolo), la cui funzione ideale quella di permettere il flusso di corrente elettrica in una direzione e di bloccarlo nell'altra, la qual cosa viene realizzata ponendo dei vincoli alla libert di movimento e di direzione dei portatori di carica. scarpe calcio online I diodi a giunzione sono cristalli di silicio composti da because of zone, una ad eccedenza di elettroni (strato n) ed una advertisement eccedenza di lacune (strato p). Alcuni elettroni scarpe nike blazer donna della zona n diffondono attraverso la giunzione e si ricombinano con le

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